应变超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n(001)的电子结构和光学性质

• 作者: 李开航 黄美纯
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 光学性质 应变超晶格 紧束缚方法
• 年，卷（期）: 1999,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学·技术科学
• 页码范围: 209-215
• 页数: 7页
• 分类号: O471.4|O471.5
• 字数: 3519字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-0479.1999.02.010

摘要

用半经验的紧束缚方法sp3s*计算了薄层应变超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n(001)的电子结构.给出了组份X为0.53的超晶格(InxGa1-xAs)n/(GaAs)n的带隙值随层厚n的变化关系,以及超晶格(InxGa1-xAs)12/(GaAs)12的带隙值随组份X的变化关系.在得到超晶格能量本征值和本征函数的基础上,计算了该超晶格系统的光学介电函数虚部,并与体材料GaAs和体合金InxGa1-xAs的光学性质作了比较.计算结果表明,应变超晶格在较宽的能量范围有较好的光谱响应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄美纯	厦门大学物理学系	35	129	7.0	8.0
2	李开航	厦门大学物理学系	31	74	5.0	6.0