N,Sb和单分子层数对GaAs/GaInNAsSb超晶格性能的影响

• 作者: 倪海桥 吴荣汉 张纬 徐应强 徐晓华 牛智川
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超晶格 电子性能 折叠谱法
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1474-1482
• 页数: 9页
• 分类号: O4
• 字数: 5088字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.05.038

摘要

用Keating的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变.用折叠谱法(folded spectrum method)结合Williamson经验赝势法计算了GaAs/GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构.讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响.发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元,从而影响了该超晶格的发光性能.计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛智川	中国科学院半导体研究所超晶格研究室	45	124	5.0	8.0
2	徐应强	中国科学院半导体研究所超晶格研究室	17	50	4.0	6.0
3	吴荣汉	中国科学院半导体研究所超晶格研究室	22	159	8.0	12.0
4	倪海桥	中国科学院半导体研究所超晶格研究室	14	8	1.0	1.0
5	徐晓华	中国科学院半导体研究所超晶格研究室	2	2	1.0	1.0
6	张纬	中国科学院半导体研究所超晶格研究室	1	1	1.0	1.0