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摘要:
低温下观察了弱耦合δ掺杂GaAs超晶格的辐射复合发光.实验结果表明:除观察到基态的复合发光外,还观察到激发态的复合发光.基于有效质量近似理论,计算了能带结构和发光光谱,理论结果与实验结果符合得很好.
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类硼S离子高自旋态6pe_6po的辐射跃迁
辐射跃迁
振子强度
高自旋态
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 δ掺杂GaAs超晶格的辐射跃迁
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 工学
关键词 δ掺杂 超晶格 辐射跃迁
年,卷(期) 1999,(1) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 89-92
页数 4页 分类号 TN2
字数 2059字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9014.1999.01.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 夏建白 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 26 154 5.0 12.0
2 李国华 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 25 99 5.0 9.0
3 郑厚植 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 11 126 2.0 11.0
4 谭平恒 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 11 18 2.0 3.0
5 程文超 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 1 0 0.0 0.0
传播情况
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1999(0)
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研究主题发展历程
节点文献
δ掺杂
超晶格
辐射跃迁
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
总下载数(次)
3
总被引数(次)
28003
论文1v1指导