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摘要:
鉴于"方形"势阱过于简单和理想,引入了反比相关双曲余弦平方势描述超晶格量子阱中的电子运动行为.在量子力学框架内,把电子的Schr(o)dinger方程化为了超几何方程, 并以Ga1-xAlxAs-GaAs- Ga1-xAlxAs量子阱为例计算了电子的带内跃迁和带间跃迁.结果表明,能级数目和跃迁能量与阱深、阱宽等系统参数有关,只需适当调节这些参数就可望实现对超晶格量子阱光电特征的调节与控制.
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文献信息
篇名 引入反比相关双曲余弦平方势描述超晶格量子阱的电子跃迁
来源期刊 强激光与粒子束 学科 物理学
关键词 超晶格 量子阱 双曲余弦平方势 电子跃迁 超几何方程 单粒子能级
年,卷(期) 2007,(8) 所属期刊栏目 粒子束技术
研究方向 页码范围 1385-1389
页数 5页 分类号 O471.5|O571.33
字数 4081字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 邵明珠 109 465 12.0 16.0
2 罗晓华 重庆大学电气工程学院 16 61 4.0 6.0
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强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
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9833
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61664
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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