拉曼散射和X射线衍射研究InxGa1-xAs材料

• 作者: 傅军 张铁民 洪丽 王林茂 符运良 缪国庆
• 来源期刊: 海南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: InxGa1-xAs 拉曼散射 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 379-382
• 分类号: O471.1
• 字数: 3137字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-4942.2010.04.007

摘要

使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长InxGa1-xAs材料.拉曼散射研究材料的结构无序和计算材料的应力,X射线衍射研究InxGa1-xAs的组分、结晶质量、位错密度.拉曼散射可以获得材料表面特性,x射线衍射可以获得材料整体结构信息,即衬底质量,缓冲层的特性,外延层特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	符运良	海南师范大学物理与电子工程学院	55	136	5.0	9.0
2	傅军	海南师范大学物理与电子工程学院	44	137	6.0	10.0
3	缪国庆	中国科学院激发态物理重点实验室	15	45	4.0	5.0
4	张铁民	海南师范大学物理与电子工程学院	29	73	4.0	7.0
5	洪丽	海南师范大学物理与电子工程学院	14	29	3.0	4.0
6	王林茂	海南师范大学物理与电子工程学院	20	51	5.0	6.0