InxGa1-xAs材料在多结空间太阳电池中的应用进展

• 作者: 姜德鹏 孙晓宇 张炜楠 李雷 沈静曼 涂洁磊 胡凯
• 来源期刊: 上海航天
• 学科: 工学
• 关键词: InxGa1?xAs材料 多结空间太阳电池 外延生长工艺 抗辐照性能
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 应用与实践
• 页码范围: 109-116
• 页数: 8页
• 分类号: TM914
• 字数: 5434字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19328/j.cnki.1006-1630.2020.02.015

摘要

InxGa1?xAs材料具有独特的物理特性,可以通过调节In和Ga的组分来改变材料的带隙宽度Eg.该材料自进入多结空间太阳电池领域以来,就受到了广泛的关注.因此,InxGa1?xAs材料有望成为未来多结空间太阳电池领域中的重要研究对象.本文首先介绍了InGaAs材料的生长工艺及其在多结空间太阳电池领域中的应用情况和研究现状,同时讨论了材料的外延生长工艺以获得高质量含InGaAs材料的多结太阳电池.此外,介绍了近年来InGaAs材料在高效多结空间太阳电池领域的研究进展,并对其抗辐照性能进行了简述.大量研究表明:InGaAs材料的使用可以进一步提升多结空间太阳电池的光电转换效率,达到提升卫星有效载荷的目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雷	云南师范大学太阳能研究所	7	15	2.0	3.0
2	涂洁磊	云南师范大学太阳能研究所	26	67	5.0	6.0
6	张炜楠	云南师范大学太阳能研究所	2	0	0.0	0.0
7	胡凯	云南师范大学太阳能研究所	1	0	0.0	0.0
8	孙晓宇	云南师范大学太阳能研究所	3	0	0.0	0.0
9	姜德鹏		5	3	1.0	1.0
10	沈静曼		2	0	0.0	0.0