不同散射机理对 Al2O3/InxGa1-xAs nMOSFET 反型沟道电子迁移率的影响*

• 作者: 徐静平 朱述炎 汪礼胜 黄苑
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: InGaAs MOSFET 反型沟道电子迁移率 散射机理
• 年，卷（期）: 2013,（15）
• 页码范围: 157201-1-157201-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.157201

摘要

通过考虑体散射、界面电荷的库仑散射以及 Al2O3/InxGa1?xAs 界面粗糙散射等主要散射机理，建立了以 Al2O3为栅介质 InxGa1?xAs n 沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型沟道电子迁移率模型，模拟结果与实验数据有好的符合。利用该模型分析表明，在低至中等有效电场下，电子迁移率主要受界面电荷库仑散射的影响；而在强场下，电子迁移率则取决于界面粗糙度散射。降低界面态密度，减小 Al2O3/InxGa1?xAs 界面粗糙度，适当提高In 含量并控制沟道掺杂在合适值是提高 InGaAs nMOSFETs 反型沟道电子迁移率的主要途径。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学光学与电子信息学院	88	358	9.0	13.0
2	黄苑	华中科技大学光学与电子信息学院	2	15	2.0	2.0
3	汪礼胜	华中科技大学光学与电子信息学院	2	3	1.0	1.0
4	朱述炎	华中科技大学光学与电子信息学院	2	3	1.0	1.0