氧掺杂（9,0）型BC2N纳米管的电子结构与性质1）

• 作者: 刘波 吴宫莲 孙苗 张桂玲 张辉 薛子成
• 来源期刊: 东北林业大学学报
• 关键词: BC2N纳米管 O掺杂 密度泛函理论 结构和电子性质
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 149-153
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理方法，对单个氧原子（O）化学置换掺杂在锯齿形（zigzag）（9，0） BC2 N NTs 进行了研究。结果显示 O 掺杂在 B 位（OB ）和第二个 C 位（OCI ）时，结构发生很明显的形变；而在 ON 和OCI掺杂 BC2 N 纳米管的情况下，产生的形变几乎可以忽略。形成能的研究结果表明，ON 掺杂的体系在 B－rich 的条件下是最为稳定的。 OB 掺杂（9，0）BC2 N NTs 的电子能带结构表明其显示受体的性质，而 ON 掺杂（9，0）BC2 N NTs 的导带位于 Fermi 能级处显示金属的性质。对于 OC 掺杂（9，0）BC2 N NTs 的情况，OCI和 OCI 掺杂（9，0）BC2 N NTs 分别为间接带隙半导体和直接带隙半导体。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙苗		1	1	1.0	1.0
2	薛子成		1	1	1.0	1.0
3	吴宫莲		1	1	1.0	1.0
4	张辉		1	1	1.0	1.0
5	张桂玲		1	1	1.0	1.0