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摘要:
提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法.采用分子束外延生长GaAs/InAs短周期超晶格作覆盖层,可以拓展量子点发光波长至1.3 μm~1.5μm.研究了不同超晶格周期作覆盖层对InAs量子点的晶体结构和光学特性的影响:发现随测试温度的升高,量子点的PL发光强度增强的一种反常现象.认为这是不同量子间载流子输运的结果.
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文献信息
篇名 超晶格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响
来源期刊 山西大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 量子点 超晶格 光荧光 覆盖层
年,卷(期) 2005,(4) 所属期刊栏目 物理学
研究方向 页码范围 380-382
页数 3页 分类号 O431
字数 2284字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0253-2395.2005.04.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 任正伟 中国科学院半导体研究所 9 25 3.0 4.0
2 贺振宏 中国科学院半导体研究所 5 7 1.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
量子点
超晶格
光荧光
覆盖层
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
山西大学学报(自然科学版)
季刊
0253-2395
14-1105/N
大16开
太原市坞城路92号
22-42
1960
chi
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