隔离层厚度和盖层厚度对InAs/GaAs量子点应变分布和发射波长的影响

• 作者: 任晓敏 俞重远 刘玉敏
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变工程 半导体量子点 隔离层 盖层
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 66-72
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.011

摘要

分析了量子点盖层生长过程中隔层厚度对应变分布的影响,指出隔层材料的纵向晶格常数与量子点材料的纵向晶格常数对应变分布具有重要意义.定性说明了应变因素在隔离层生长过程中对量子点高度塌陷产生的影响.讨论了当隔离层顶面与量子点高度持平后,增加盖层厚度对应变分布的影响.基于变形势理论,讨论了上述几何参数的变化对发光波长的影响,并与实验结果进行了对比.结果表明,在量子点加盖过程中,应变因素对其形貌和发光特性具有重要作用,以应变工程为基础的发射波长调控是拓展量子点波长发射范围的有效途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任晓敏		189	942	13.0	18.0
2	刘玉敏	北京邮电大学理学院	36	223	10.0	13.0
6	俞重远	北京邮电大学理学院	49	260	10.0	12.0