InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响

• 作者: 俞重远 刘玉敏 杨红波 黄永箴
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变 半导体量子点 自组织
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 5023-5029
• 页数: 7页
• 分类号: O7
• 字数: 4983字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.10.009

摘要

对量子点超晶格材料中量子点纵向周期和同层量子点的横向周期间距对量子点及其周围应变场分布的影响进行了系统的研究.结果表明,横向和纵向周期通过衬底材料之间的长程相互作用对量子点沿中心轴路径应变分布的影响效果正好相反,在适当条件下,两者对量子点应变场分布的影响可以部分抵消.同时也论证了在单层量子点和超晶格量子点材料中,计算量子点的电子结构时,应综合考虑量子点空间周期分布对载流子限制势的影响,不能简单的利用孤立量子点模型来代替.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永箴	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	47	229	9.0	12.0
2	刘玉敏	北京邮电大学理学院	36	223	10.0	13.0
6	俞重远	北京邮电大学理学院	49	260	10.0	12.0
10	杨红波	北京邮电大学理学院	15	106	7.0	10.0