InAs/GaAs/InP及InAs/InP自组装量子点室温PL谱的研究

• 作者: 刘式墉 刘彩霞 张冶金 杨树人 汪爱军 王新强 陈维友
• 来源期刊: 吉林大学自然科学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 应变 能带 PL谱
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+5
• 字数: 1494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-5489.2001.01.009

摘要

用五带k·p模型计算InAs/GaAs/InP及InAs/InP的室温PL谱的能级分布，分析PL谱峰值.发现GaAs的张应变层影响PL峰值位置，与InAs/InP量子点相比，InAs/GaAs/InP量子点PL谱峰值有明显红移，并从能带理论给出解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘式墉	吉林大学电子工程系	57	381	11.0	17.0
2	刘彩霞	吉林大学电子工程系	33	129	6.0	9.0
3	陈维友	吉林大学电子工程系	24	82	5.0	8.0
4	杨树人	吉林大学电子工程系	16	52	4.0	7.0
5	王新强	吉林大学电子工程系	8	41	2.0	6.0
6	张冶金	吉林大学电子工程系	8	16	2.0	3.0
7	汪爱军	吉林大学电子工程系	6	15	2.0	3.0