InP基多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列的结构和光学性质

• 作者: 刘俊岐 刘峰奇 王占国 车晓玲 雷文 黄秀颀
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 分子束外延 InAlGaAs缓冲层
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 309-313
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3053字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.017

摘要

在InP(001)衬底上使用分子束外延技术自组织生长了多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列结构.根据对透射电镜和光致发光谱结果的分析,认为引入与InP衬底晶格匹配的InAlGaAs缓冲层可以获得较大的InAs量子点结构,而InAlGaAs层的表面特性对InAs量子点的结构及光学性质有很大影响.对InP基InAlGaAs缓冲层上自组织量子点的形核和演化机制进行了探讨,提出量子点的演化过程表现为量子点的合并长大并伴随着自身的徙动,以获得能量最优的分布状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄秀颀	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	3	10	1.0	3.0
2	刘峰奇	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	25	171	8.0	12.0
3	车晓玲	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	3	10	1.0	3.0
4	刘俊岐	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	12	35	4.0	5.0
5	雷文	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	5	15	2.0	3.0
6	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	101	701	15.0	23.0