低温GaAs外延层上生长InAs量子点的研究

• 作者: 封松林 汪辉 牛智川 王晓东 王海龙
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs量子点 低温GaAs As沉淀
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 177-180
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2475字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.03.004

摘要

利用退火技术,实现了在低温GaAs外延层上InAs量子点的生长.透射电镜(TEM)研究表明,低温GaAs外延层上生长的InAs量子点比通常生长的InAs量子点明显变小,且密度变大,认为是由于低温GaAs中的点缺陷以及As沉淀引起的:点缺陷释放了部分弹性能,使得量子点变小,而As沉淀可能是量子点密度变大的原因.在光致发光谱(PL)上,退火低温外延层上生长的量子点的发光峰能量较高,且半高宽变窄.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓东	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	198	1467	19.0	28.0
2	封松林	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	44	296	8.0	16.0
3	王海龙	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	35	356	10.0	18.0
4	汪辉	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	23	76	5.0	7.0
5	牛智川	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	45	124	5.0	8.0