利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点

• 作者: 张春玲 徐波 王占国 赵凤瑷 金鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅲ-Ⅴ族半导体材料 应力 量子点 有序生长
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1647-1651
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 4146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.019

摘要

在GaAs基In x Ga1-xAs( x =0.15)应变层上生长了InAs 量子点(QD)层,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程,配合生长过程中对反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监测,并观察生长后的表面形貌,发现可以通过控制应变层厚度来控制应变层表面布纹结构的宽度,而且在应变层厚度低于位错增殖的临界厚度时布纹宽度较窄.如果同时控制QD层在刚刚出点,则QD主要沿着较窄的布纹结构排列,从而得到有序排列的QD.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐波	中国科学院半导体研究所半导体材料开放实验室	92	929	15.0	27.0
2	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料开放实验室	101	701	15.0	23.0
3	张春玲	中国科学院半导体研究所半导体材料开放实验室	12	189	5.0	12.0
4	金鹏	中国科学院半导体研究所半导体材料开放实验室	29	262	7.0	16.0
5	赵凤瑷	中国科学院半导体研究所半导体材料开放实验室	3	149	2.0	3.0