高密度、长波长InGaAs量子点材料的制备与表征

• 作者: 刘国军 张彬 李占国 李林 李梅
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: InAs量子点 1.3μm波长 发光特性
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 452-455
• 页数: 4页
• 分类号: O614|TN304.054
• 字数: 2401字
• 语种: 中文

摘要

利用MOCVD外延生长技术,对InAs/GaAs量子点材料的生长参数进行调节,获得了高密度(～5×10~(10) cm~(-2))的InAs量子点.室温荧光光谱表明,覆盖厚度为5 nm的InGaAs(In组分的摩尔分数为12%)低应变层量子点材料的基态发光波长为1.346 μm,光谱线宽为24 meV.研究结果表明,利用较低温度生长InAs量子点,结合较高In组分的InGaAs低应变层量子点材料可以实现发光波长红移,有效地改善材料的光学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李占国	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	59	247	8.0	13.0
2	刘国军	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	62	303	9.0	14.0
3	李林	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	30	177	8.0	12.0
4	李梅	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	10	29	3.0	4.0
5	张彬	长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室	1	3	1.0	1.0