生长温度对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响研究

• 作者: 姚丽 李雷 杨园静 涂洁磊
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaAs量子点 生长温度 三结叠层量子点电池
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 461-464
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2485字
• 语种: 中文

摘要

InAs/GaAs量子点的生长形貌和特性受不同生长环境和生长条件影响.本文借助光致发光光谱(PL)特性表征方法,通过实验生长,对比研究不同生长温度下获得的量子点性能,结合当前三结叠层GaInP/GaAs/C-e(2-terminal)电池存在的问题,以及该电池的设计、制作要求,分析了InAs量子点的不同生长温度对于具有量子点结构的中电池吸收的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雷	云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	7	15	2.0	3.0
3	涂洁磊	云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	26	67	5.0	6.0
6	杨园静	云南师范大学太阳能研究所可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	8	47	3.0	6.0