δ掺杂Si对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响

• 作者: 王珊 王科范 谷城
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaAs量子点 太阳电池 δ掺杂Si 分子束外延
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 页码范围: 3151-3156
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4+2
• 字数: 3410字
• 语种: 中文

摘要

在InAs/GaAs量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心.这种掺杂也应用到了量子点太阳电池中,结果表明电池开路电压从0.72 V提高到了0.86 V,填充因子从60.4％提高到73.2％,短路电流从26.9 mA/cm2增加到27.4 mA/cm2.优化的Si掺杂可将量子点太阳的电池效率从11.7％提升到17.26％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谷城	河南大学物理与电子学院	7	37	3.0	6.0
2	王珊	河南大学物理与电子学院	8	15	3.0	3.0
3	王科范	河南大学物理与电子学院	8	9	2.0	2.0