自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究

• 作者: 吴正云 孔令民 牛智川 蔡加法 陈主荣
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs量子点 浸润层 时间分辨谱
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 光电技术与材料
• 页码范围: 208-212
• 页数: 5页
• 分类号: O433.5+9|O472+.3
• 字数: 2450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2003.02.017

摘要

在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML的InAs层.通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点.采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡加法	厦门大学物理系	27	107	6.0	8.0
2	陈主荣	厦门大学物理系	5	5	1.0	2.0
3	吴正云	厦门大学物理系	33	190	7.0	12.0
4	孔令民	厦门大学物理系	8	24	4.0	4.0