1.3微米发光自组织InAs/GaAs量子点的电致发光研究

• 作者: 刘金龙 周大勇 孔云川 封松林 澜清 牛智川 苗振华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 电致发光 发光二极管 能态填充效应
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 页码范围: 551-554
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2125字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.008

摘要

用优化的MBE参数生长了1.3μm发光的InAs/GaAs量子点材料,并制成发光二极管,对不同温度和有源区长度下样品的电致发光谱进行了细致的研究.观察到两个明显的电致发光峰,分别对应于量子点基态和激发态的辐射复合发光.实验表明,由于能态填充效应的影响,适当增大量子点发光器件有源区长度,更有利于获得基态的光发射.这个结果提供了一种控制和调节InAs/GaAs量子点发光二极管和激光器的工作波长的方法.