In0.2 Ga0.8 As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3 μmInAs/GaAs自组织量子点

• 作者: 方志丹 沈光地 牛智川 苗振华 龚政
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs/GaAs量子点 复合应力缓冲层 光荧光 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 页码范围: 324-327
• 页数: 4页
• 分类号: O482.3
• 字数: 2373字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2005.05.002

摘要

用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和x ML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从约1.7×109 cm-2显著增加到约3.8×109cm-2.同时,复合层也有利于提高量子点中In的组份,使量子点的高宽比增加,促进量子点发光峰红移.对于x=10 ML的样品室温下基态发光峰达到1350 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	牛智川	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	45	124	5.0	8.0
3	苗振华	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	5	2	1.0	1.0
4	方志丹	北京工业大学光电子技术实验室	3	1	1.0	1.0
6	龚政	中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室	3	1	1.0	1.0