In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱PL谱温度特性及其机制

• 作者: 张存洲 徐晓轩 曹学伟 李俊梅 王斌 魏国华
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: In0.2Ga0.8As/GaAs 单量子阱 PL谱 温度 荧光峰半峰全宽
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 619-623
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 2127字
• 语种: 中文

摘要

测量了不同阱宽In0.2Ga0.8As/GaAs单量子阱的PL谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化.利用Varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数.结果表明,无位错应变量子阱带隙仍具有其体材料的特性:荧光谱线半峰全宽随温度升高迅速展宽,这主要归因于声子关联作用增强和激子热离化为自由载流子所致;阱宽越窄荧光峰值能量越高,将其与量子尺寸效应的理论计算结果进行了比较.文中还考察了谱线半峰全宽和阱宽的关系,利用合金无序对这一现象进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张存洲	南开大学物理科学学院	53	388	12.0	17.0
5	王斌	南开大学物理科学学院	44	188	7.0	11.0
9	曹学伟	南开大学物理科学学院	28	103	5.0	9.0
10	魏国华	南开大学物理科学学院	1	4	1.0	1.0
11	李俊梅	南开大学物理科学学院	2	14	2.0	2.0