GaAs1-xSbx/GaAs单量子阱的光学特性研究

• 作者: 徐仲英 王建农 王玉琦 罗向东 罗海林 葛惟琨 边历峰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAsSb/GaAs 选择激发 Ⅱ类跃迁
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1761-1765
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.07.038

摘要

用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb/GaAs单量子阱的光学性质,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类)和间接(Ⅱ类)跃迁.它们表现出不同的特性:Ⅰ类跃迁具有局域化特性,其发光能量不随激发光能量而变;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移,也随激发光能量的增加而蓝移,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释,这也是空间间接跃迁的典型特性.还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb/GaAs能带排列的Ⅱ类特性,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb/GaAs异质结的带阶系数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐仲英	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	14	31	3.0	5.0
2	罗向东	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	10	31	3.0	5.0
3	边历峰	中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室	11	119	7.0	10.0
4	王建农	香港科技大学物理系	13	55	4.0	7.0
5	王玉琦	香港科技大学物理系	5	16	2.0	4.0
6	罗海林	香港科技大学物理系	2	8	1.0	2.0
7	葛惟琨	香港科技大学物理系	3	11	2.0	3.0