高In组分InGaNAs/GaAs量子阱的生长及发光特性

• 作者: 单睿 周海春 欧全宏 郝瑞亭 郭杰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaNAs 量子阱 分子束外延 光致发光光谱
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1510-1515
• 页数: 6页
• 分类号: TN21
• 字数: 3174字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20173811.1510

摘要

采用分子束外延技术(MBE)在GaAs衬底上外延生长高In组分(>40%)InGaNAs/GaAs量子阱材料,工作波长覆盖1.3~1.55μm光纤通信波段.利用室温光致发光(PL)光谱研究了N原子并入的生长机制和InGaNAs/GaAs量子阱的生长特性.结果表明:N组分增加会引入大量非辐射复合中心;随着生长温度从480℃升高到580℃,N摩尔分数从2%迅速下降到0.2%;N并入组分几乎不受In组分和As压的影响,黏附系数接近1;生长温度在410℃、Ⅴ/Ⅲ束流比在25左右时,In0.4 Ga0.6 N0.01 As0.99/GaAs量子阱PL发光强度最大,缺陷和位错最少;高生长速率可以获得较短的表面迁移长度和较好的晶体质量.