声表面波对GaAs(110)量子阱发光特性的调制

• 作者: P. V. Santos 杨光
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 发光 GaAs量子阱 声表面波 自旋极化
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4327-4331
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3151字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.08.091

摘要

结合声表面波和光致发光谱在低温(15 K)下对非故意掺杂的GaAs(110)量子阱结构的发光特性进行了研究.实验结果表明,由于声表面波的作用GaAs(110)量子阱的发光强度减弱,并且其对应的重空穴能级出现了分裂的现象,当施加的声波强度Prf达到20 dBm时,能级分裂ΔE达到了10 meV.进一步讨论了声表面波对GaAs(110)量子阱圆偏振光自旋注入的影响.