GaAs1-xSbx/GaAs量子阱的Type-Ⅱ特性

• 作者: 成珏飞 成鸣飞 罗向东
• 来源期刊: 南通大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: GaAs1-xSbx/GaAs 量子阱 异质结 Type-Ⅱ结构
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 7-9,14
• 页数: 4页
• 分类号: O433.4
• 字数: 651字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2340.2006.02.003

摘要

研究了分子束外延生长的不同含量的GaAs1-xSbx/GaAs量子阱的光荧光特性和时间分辨光谱特性.分析表明,利用电子空穴分离导致了能带弯曲和能带填充效应,实验结果说明了GaAs1-xSbx/GaAs异质结至少在Sb原子数目百分比为16%～26%时是Type-Ⅱ结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗向东		38	119	7.0	9.0
2	成鸣飞		20	67	5.0	7.0
3	成珏飞		5	3	1.0	1.0