GaAs非本征吸收

• 作者: 刘鸿 吴明和 杨宏春 王玉明 薛长江
• 来源期刊: 成都大学学报（自然科学版）
• 关键词: 非本征吸收 光生载流子 光激发 俘获效应
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: O441.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-5422.2005.01.003

摘要

对光脉冲入射波长为1 064nm时,GaAs光导开关上的直流电场为103V/cm观察到光电流的现象运用非本征吸收光电导理论进行了解释,讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs非本征吸收载流子浓度随时间的变化,并将高斯光强时的模拟结果同光导开关实验相比较,二者吻合很好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘鸿	成都大学电子信息工程系	22	41	3.0	5.0
2	吴明和	电子科技大学物理电子学院	31	71	5.0	7.0
3	王玉明	电子科技大学物理电子学院	3	7	1.0	2.0
4	杨宏春	电子科技大学物理电子学院	44	219	10.0	12.0
5	薛长江	电子科技大学物理电子学院	2	6	1.0	2.0