退火后应变Ga1-xlnxNyAS1-y/GaAs量子阱特性

• 作者: 唐吉玉 文于华 李培 李德钦 王茜
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaInNAs/GaAs 退火 光增益
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 505-508
• 分类号: TN248
• 语种: 中文

摘要

引入N原子周围In原子数r自建模型,研究退火对GaInNAs/GaAs量子阱能带结构和应变效应的影响,计算退火前后量子阱的光增益谱,讨论了退火温度和量子阱阱宽对光增益峰值蓝移的影响.结果表明退火使带隙发生蓝移,光增益峰值向短波方向移动,退火温度T越高,相同组分条件下的峰值蓝移越大.减小合金中N含量以及增加量子阱阱宽可减少增益峰值蓝移,从而降低退火带来的不利影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐吉玉	华南师范大学物理与电信工程学院	39	90	5.0	7.0
2	文于华	华南师范大学物理与电信工程学院	8	25	3.0	4.0
3	李培	华南师范大学物理与电信工程学院	16	68	4.0	8.0
4	王茜	华南师范大学物理与电信工程学院	7	18	3.0	3.0
5	李德钦	华南师范大学物理与电信工程学院	3	5	2.0	2.0