退火后无应变Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱的带隙

• 作者: 刘超 吴利锋 吴靓臻 唐吉玉 孔蕴婷 文于华 李顺方 汤莉莉 赵传阵 陈俊芳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaInNAs/GaAs 量子阱 带隙 退火
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 105-109
• 页数: 5页
• 分类号: TN248
• 字数: 4536字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.019

摘要

针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化,建立了热平衡态下Ga1-xInxNyAs1-y合金中各二元化合键的统计分布模型.并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中,对退火后的Ga1-xInxNyAs1-y体材料带隙进行了计算.最后,利用讨论BAC模型中电子波函数边界条件的方法,计算了无应变Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱的带隙.