应变Ge1-yCy合金的带隙

• 作者: 吴丽清 朱梓忠 郭亨群 黄美纯
• 来源期刊: 华侨大学学报（自然科学版）
• 关键词: Ge1-yCy 从头赝势法 应变 带隙
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+4:O471
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5013.2002.01.005

摘要

采用基于局域密度泛函理论和虚晶近似下的从头赝势法,研究Si(001)和Ge(001)衬底上的应变Ge1-yCy合金,其带隙随碳含量和晶格失配度的变化情况.结果发现,带隙对应变条件非常敏感.硅衬底上应变Ge1-yCy合金的带隙随碳组分的增加而增加,而锗衬底上应变Ge1-yCy合金的带隙随碳组分的增加而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄美纯	厦门大学物理系	35	129	7.0	8.0
2	朱梓忠	厦门大学物理系	50	186	7.0	10.0
3	郭亨群	华侨大学信息科学与工程学院	40	180	8.0	11.0
4	吴丽清	华侨大学信息科学与工程学院	1	0	0.0	0.0