基于锡组分和双轴张应力调控的临界带隙应变Ge1?xSnx能带特性与迁移率计算

• 作者: 吴淑静 宋建军 底琳佳 戴显英 苗东铭 赵天龙 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 双轴张应变Ge1?xSnx k·p方法 能带结构 迁移率
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 199-212
• 页数: 14页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.67.20171969

摘要

能带工程通过改变材料的能带结构可以显著提升其电学和光学性质,已广泛应用于半导体材料的改性研究.双轴张应力和Sn组分共同作用下的Ge1?xSnx合金,不仅可以解决直接带隙转变所需高Sn组分带来的工艺难题,而且载流子迁移率会显著提升,在单片光电集成领域有很好的应用前景.根据形变势理论,分析了(001)面双轴张应变Ge1?xSnx的带隙转变条件,并给出了在带隙转变临界点Sn组分和双轴张应力的关系;采用8k·p 方法,得到了临界带隙双轴张应变Ge1?xSnx在布里渊区中心点附近的能带结构,进而计算得到电子与空穴有效质量;基于载流子散射模型,计算了电子与空穴迁移率.计算结果表明:较低Sn组分和双轴张应力的组合即可得到直接带隙Ge1?xSnx合金,且直接带隙宽度随着应力的增大而减小;临界带隙双轴张应变Ge1?xSnx具有极高的电子迁移率,空穴迁移率在较小应力作用下即可显著提升.考虑工艺实现难度和材料性能两个方面,可以选择4% Sn组分与1.2 GPa双轴张应力或3% Sn组分与1.5 GPa双轴张应力的组合用于高速器件和光电器件的设计.