应变Si/(101)SixGe1-x空穴迁移率

• 作者: 宣荣喜 张鹤鸣 戴显英 赵丽霞
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 应变Si 各向异性 迁移率
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 页码范围: 121-125
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2304字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2013.03.018

摘要

采用kp微扰理论,基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,对(101)晶面双轴应变Si材料应力致迁移率增强机理进行了系统深入的研究.结果表明:双轴应变Si(101)材料高对称晶向空穴迁移率在应力作用下均有明显增强,其空穴统观迁移率与未应变Si材料相比,最多提高约2倍.文中所得量化模型可为应变Si材料物理的深入理解及应变材料、器件的研究与设计提供有价值的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	55	329	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	宣荣喜	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	22	172	8.0	12.0
4	赵丽霞	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	34	3.0	5.0