(001)面双轴应变锗材料的能带调控

• 作者: 孙钦钦 林抒毅 汪涵聪 谢文明 黄巍 黄诗浩
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变 退简并 能带调控
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 352-357,369
• 页数: 7页
• 分类号: TB321|O469
• 字数: 5256字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2018.03.002

摘要

本文基于形变势理论构建(001)面双轴应变Ge材料的能带结构模型.计算结果表明(001)面双轴应变可以将Ge的能带从以 L能谷为导带底的间接带半导体调控到以 Δ4能谷为导带底的间接带半导体或者以 Г能谷为导带底的直接带半导体.同时室温下Ge的带隙与应变的关系可用四段函数来表示:当压应变将Ge材料调控为以 Г能谷为导带底的间接带半导体后,每增加1% 的压应变,禁带宽度将线性减小约78.63meV ;当张应变将Ge材料调控为直接带半导体后,张应变每增加1%,禁带宽度将线性减小约177.98meV ;应变介于－2.06% 和1.77% 时,Ge将被调控为以L能谷为导带底的间接带半导体,禁带宽度随着压应变每增加1% 而增加11.66meV ,随着张应变每增加1% 而线性减小约88.29meV .该量化结果可为研究和设计双轴应变Ge材料及其器件提供理论指导和实验依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄巍	厦门大学物理科学与技术学院	11	9	2.0	2.0
2	黄诗浩	福建工程学院信息科学与工程学院	4	3	1.0	1.0
3	孙钦钦	福建工程学院软件学院	3	3	1.0	1.0
4	谢文明	福建工程学院信息科学与工程学院	8	2	1.0	1.0
5	汪涵聪	福建工程学院信息科学与工程学院	3	0	0.0	0.0
6	林抒毅	福建工程学院信息科学与工程学院	8	6	2.0	2.0