[110]／（001）单轴应变Si本征载流子浓度模型

• 作者: 张鹤鸣 王冠宇 王斌 王晓艳 马建立
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: [110]/(001)单轴应变si 有效态密度 本征载流子浓度
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 567-572
• 分类号: O346.2
• 语种: 中文

摘要

本文首先讨论了在沿[110]方向的单轴应力对体si材料能带结构参数的影响，在此基础上计算出单轴应变si中平衡载流子浓度，给出了物理意义明确的导带、价带有效态密度的表达式．最后，结合有效态密度和禁带宽度的表达式，建立了[110]／（001）单轴应变si本征载流子浓度模型．本文的研究方法亦适用于建立（001）面任意应力方向上的应变si本征载流子浓度模型，并为相关单轴应变si器件的设计、建模以及仿真提供了一定的理论参考．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
2	王斌	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	24	269	7.0	16.0
3	王晓艳	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	12	52	4.0	6.0
4	王冠宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	12	48	5.0	6.0
5	马建立	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	6	29	3.0	5.0