单轴应变Si NMOSFET热载流子栅电流模型

• 作者: 吕懿 张鹤鸣 杨晋勇 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 单轴应变Si 热载流子 栅电流模型
• 年，卷（期）: 2014,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 197103-1-197103-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.197103

摘要

热载流子效应产生的栅电流是影响器件功耗及可靠性的重要因素之一，本文基于热载流子形成的物理过程，建立了单轴应变硅NMOSFET热载流子栅电流模型，并对热载流子栅电流与应力强度、沟道掺杂浓度、栅源电压、漏源电压等的关系，以及TDDB(经时击穿)寿命与栅源电压的关系进行了分析研究。结果表明，与体硅器件相比，单轴应变硅MOS器件不仅具有较小的热载流子栅电流，而且可靠性也获得提高。同时模型仿真结果与单轴应变硅NMOSFET的实验结果符合较好，验证了该模型的可行性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	吕懿	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	14	99	6.0	9.0
4	杨晋勇		10	23	3.0	3.0