异质多晶SiGe栅应变Si NMOSFET物理模型研究

• 作者: 周春宇 宋建军 张玉明 张鹤鸣 李妤晨 王斌 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 异质多晶SiGe栅 应变Si NMOSFET 表面势 沟道电流
• 年，卷（期）: 2013,（21）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 452-459
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.218502

摘要

结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能。本文结合其结构模型,以应变Si NMOSFET为例,建立了强反型时的准二维表面势模型,并进一步获得了其阈值电压模型以及沟道电流的物理模型。应用MATLAB对该器件模型进行了分析,讨论了异质多晶SiGe栅功函数及栅长度、衬底SiGe中Ge组分等参数对器件阈值电压、沟道电流的影响,获得了最优化的异质栅结构。模型所得结果与仿真结果及相关文献给出的结论一致,证明了该模型的正确性。该研究为异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET的设计制造提供了有价值的参考。