小尺寸应变Si/SiGe PMOSFET阈值电压及其电流电压特性的研究

• 作者: 屈江涛 张鹤鸣 徐小波 王晓艳 胡辉勇
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 漏致势垒降低 金属氧化物半导体晶体管 硅锗合金 应变硅 阈值电压
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 311-316
• 分类号: TN3|TN6
• 字数: 4610字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.02.026

摘要

针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低(DIBL)效应、短沟道效应(SCE)和速度过冲效应,获得了强反型时小尺寸P+多晶SiGe栅应变Si pMOSFET的阈值电压模型和I-V特性模型.运用Matlab对模型进行计算,获得阈值电压随多晶SiGe栅Ge组分、栅长、氧化层厚度、弛豫SiGe虚拟衬底Ge组分、掺杂浓度以及漏源偏压的变化规律,I-V特性计算结果表明MOS器件采用Si基应变技术将有更高的输出特性.用器件仿真软件ISETCAD对模型结构进行仿真,所得结果与Matlab计算结果一致,从而证明了该模型的正确性,为小尺寸应变Si MOS器件的分析设计提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院	102	510	12.0	16.0
3	王晓艳	西安电子科技大学微电子学院	12	52	4.0	6.0
4	屈江涛	西安电子科技大学微电子学院	3	15	3.0	3.0
5	徐小波	西安电子科技大学微电子学院	6	23	3.0	4.0