应变Si PMOSFET电流特性研究

• 作者: 宋建军 宣荣喜 崔晓英 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 应变Si PMOSFET 阈值电压 I-V特性
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 438-441
• 分类号: TN432
• 字数: 2435字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.04.010

摘要

生长在弛豫SiGe层上的Si产生张应变,使载流子的迁移率显著提高,因此应变Si PMOSTET可以得到非常好的性能.在讨论分析了应变Si PMOSFET 的结构特性和器件物理的基础上,推导泊松方程求出解析的阈值电压模型,以及电流电压特性,和跨导等电学特性参数模型,并用MATLAB进行了模拟,与参考文献取得了一致的结果.此模型作为对PMOSFET进行模拟是非常有用的工具.