应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

• 作者: 杨荣 罗晋生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变硅锗 pMOSFET 击穿 模拟 分析
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 966-971
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2975字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.09.015

摘要

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗晋生	西安交通大学微电子研究所	28	194	7.0	13.0
2	杨荣	中国科学院微电子中心	16	118	5.0	10.0