一种适合制作CMOS的SiGe PMOSFET

• 作者: 朱培喻 罗广礼 钱佩信 陈培毅 黎晨
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe PMOSFET SiGe CMOS
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 929-932
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2408字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.023

摘要

在通常适合于制作埋沟SiGe NMOSFET的Si/弛豫SiGe/应变Si/弛豫SiGe缓冲层/渐变Ge组分层的结构上,制作成功了SiGe PMOSFET.这种SiGe PMOSFET将更容易与SiGe NMOSFET集成,用于实现SiGe CMOS.实验测得这种结构的SiGe PMOSFET在栅压为3.5V时最大饱和跨导比用作对照的Si PMOS提高约2倍,而与常规的应变SiGe沟道的器件相当.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
2	钱佩信	清华大学微电子学研究所	29	158	7.0	11.0
3	黎晨	清华大学微电子学研究所	6	28	3.0	5.0
4	朱培喻	清华大学微电子学研究所	2	17	2.0	2.0
5	罗广礼	清华大学微电子学研究所	8	57	5.0	7.0