一种2.4 GHz SiGe全集成射频前端电路

• 作者: 刘启 甘业兵 黄武康
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 射频前端 低噪声放大器 功率放大器 低噪声 SiGe 联合设计
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 页码范围: 7-12
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

基于0.18 μm SiGe工艺设计了一款2.4 GHz全集成射频前端电路.该射频前端包含了四个单刀开关、一个功率放大器(PA)和一个低噪声放大器(LNA).基于联合设计的思路,该电路只有一个输入管脚和一个输出管脚,低噪声放大器的阻抗匹配网络与功率放大器阻抗匹配网络一同在片上完成.该芯片工作电压为3.3V,在接收模式时,该射频前端的增益为13.5 dB,噪声系数为2.8dB,静态工作电流为5.1mA;在发射模式时,该射频前端的功率增益为25.4 dB,饱和功率为24.3 dBm,最大PAE为30.8％,输出20 dBm功率时频谱满足802.15.4协议要求.该射频前端无需片外元器件即可实现50 Ω的输入输出匹配.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄武康	中国科学院微电子研究所	8	22	3.0	4.0
2	甘业兵	中国科学院微电子研究所	16	43	4.0	5.0
3	刘启	中国科学院微电子研究所	3	110	2.0	3.0