240 nm Si0.8Ge0.2虚衬底的应变Si沟道PMOSFET

• 作者: 周谦 张静 徐婉静 李竞春 韩春
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe 应变Si 低温Si PMOSFET
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 126-128
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 1373字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2007.01.039

摘要

针对应变Si PMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(＞1μm),采用了低温Si技术试制出240 nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET.器件显示出良好的直流特性,其跨导和空穴迁移率比传统Si器件分别提高了30%和50%.器件性能可与采用1 μm以上SiGe虚衬底的PMOSFET器件相比拟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李竞春	电子科技大学微电子与固体电子学院	26	81	5.0	6.0
2	韩春	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	1	1.0	1.0
3	周谦	电子科技大学微电子与固体电子学院	6	12	2.0	3.0
4	张静		2	3	1.0	1.0
5	徐婉静		1	1	1.0	1.0