一种新颖的应变Si沟道 pMOSFET制作技术

• 作者: 刘伦才 刘道广 张静 徐婉静 李开成 李荣强 谭开洲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变Si SiGe 异质结场效应晶体管 分子束外延 弛豫
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 235-238
• 页数: 4页
• 分类号: TN325
• 字数: 1474字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.060

摘要

在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si(LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度.TEM结果表明,应变Si层线位错密度低于106cm-2.原子力显微镜(AFM)测试表明,其表面均方粗糙度小于1.02nm.器件测试结果表明,与相同条件下的体Si pMOSFET相比,空穴迁移率提高了25%.