应用400℃低温Si技术制备应变Si沟道pMOSFET

• 作者: 于奇 张静 徐婉静 李竞春 杨谟华 梅丁蕾 谭开洲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅 低温硅 弛豫 线位错
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1221-1226
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 428字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.005

摘要

在利用分子束外延方法制备SiGe pMOSFET中引入了低温Si技术.通过在Si缓冲层和SiGe层之间加入低温Si层,提高了SiGe层的弛豫度.当Ge主分为20%时,利用低温Si技术生长的弛豫Si1-xGex层的厚度由UHVCVD制备所需的数微米降至400nm以内,AFM测试表明其表面均方粗糙度(RMS)小于1.02nm.器件测试表明,与相同制备过程的体硅pMOSFET相比,空穴迁移率最大提高了25%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于奇	电子科技大学微电子与固体电子学院	50	252	8.0	13.0
2	梅丁蕾	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	20	3.0	4.0
3	杨谟华	电子科技大学微电子与固体电子学院	58	278	8.0	11.0
4	李竞春	电子科技大学微电子与固体电子学院	26	81	5.0	6.0
5	谭开洲		23	106	5.0	9.0
6	徐婉静		3	14	3.0	3.0
7	张静		12	42	4.0	6.0