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摘要:
通过参数调整和工艺简化,制备了应变Si沟道的SiGe NMOS晶体管.该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道,相比于体Si器件在1V栅压下电子迁移率最大可提高48.5%.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 应变Si沟道异质结NMOS晶体管
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 应变 SiGe 跨导 迁移率
年,卷(期) 2002,(7) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 685-689
页数 5页 分类号 TN386
字数 913字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈培毅 清华大学微电子学研究所 52 245 10.0 12.0
2 史进 清华大学微电子学研究所 2 16 2.0 2.0
3 黄文涛 清华大学微电子学研究所 1 11 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
应变
SiGe
跨导
迁移率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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