应变Si沟道异质结NMOS晶体管

• 作者: 史进 陈培毅 黄文涛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变 SiGe 跨导 迁移率
• 年，卷（期）: 2002,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 685-689
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.07.003

摘要

通过参数调整和工艺简化,制备了应变Si沟道的SiGe NMOS晶体管.该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道,相比于体Si器件在1V栅压下电子迁移率最大可提高48.5%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
2	史进	清华大学微电子学研究所	2	16	2.0	2.0
3	黄文涛	清华大学微电子学研究所	1	11	1.0	1.0