绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性模拟分析

• 作者: 于杰 杨宇 杨洲 王茺 陈效双
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: SGOI p-MOSFET Ge合金组分
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 页码范围: 304-308
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3714字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2013.00304

摘要

利用数值模拟软件ISE TCAD对绝缘层上应变SiGe (SGOI)和Si (SOI) p-MOSFET的电学特性进行了二维数值模拟.计算结果表明,与传统的SOI p-MOSFET相比,SGOI p-MOSFET的漏源饱和电流几乎要高出两倍；其亚阈值电流要高出1～3个数量级.Ge合金组分作为应变SiGe沟道MOSFET的重要参数,就不同Ge合金组分对SGOI p-MOSFET的电学特性的影响也进行了较为深入的研究.随着Ge合金组分的增大,SGOI p-MOSFET的总体电学性能有所提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	陈效双	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	53	271	8.0	12.0
4	于杰	云南大学光电信息材料研究所	3	7	2.0	2.0
5	杨洲	云南大学光电信息材料研究所	5	16	2.0	4.0