双应变SiGe/Si异质结CMOS的设计及其电学特性的Medici模拟

• 作者: 宣荣喜 张鹤鸣 舒斌 马晓华
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结 CMOSFET应变硅锗 应变硅 Medici模拟
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 纳米,固态及真空电子器件
• 页码范围: 1495-1500
• 页数: 6页
• 分类号: TN301.1
• 字数: 583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.05.024

摘要

本文提出一种沟道长度为0.125 μm的异质结CMOS(HCMOS)器件结构.在该结构中,压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS(HPMOS)与异质结NMOS(HNMOS)的沟道材料,且HPMOS与HNMOS为垂直层叠结构;为了精确地模拟该器件的电学特性,修正了应变SiGe与应变Si的空穴与电子的迁移率模型;利用Medici软件对该器件的直流与交流特性,以及输入输出特性进行了模拟与分析.模拟结果表明,相对于体Si CMOS器件,该器件具有更好的电学特性,正确的逻辑功能,且具有更短的延迟时间,同时,采用垂直层叠的结构此类器件还可节省约50%的版图面积,有利于电路的进一步集成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
2	马晓华	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	40	140	7.0	8.0
3	宣荣喜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	22	172	8.0	12.0
4	舒斌	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	14	109	8.0	10.0