SiGe CMOS结构与模拟分析

• 作者: 吕懿 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 郝东艳
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe CMOS 结构模拟 电学性能
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 338-341
• 页数: 4页
• 分类号: TN403|TN432
• 字数: 1791字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2004.03.003

摘要

提出了一种新的SiGe CMOS结构,应用MEDICI软件对该结构CMOS器件的主要电学参数与其几何结构和物理结构参数的关系进行了模拟分析.根据模拟结果,讨论分析了应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组分及Si"帽"层厚度等结构参数对SiGe CMOS电学性能的影响,给出了该结构的几何结构和物理结构参数.同时模拟了SiGe CMOS倒相器的传输特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子所	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子所	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子所	102	510	12.0	16.0
4	吕懿	西安电子科技大学微电子所	14	99	6.0	9.0
5	郝东艳	西安电子科技大学微电子所	1	7	1.0	1.0