SiGe CMOS结构模拟分析

• 作者: 姜涛 张鹤鸣 戴显英 王伟 胡辉勇 黄大鹏
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe CM0S,二维模拟,反相器
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 技术论文
• 页码范围: 42-45,49
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 2390字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2004.04.012

摘要

提出一种新的SiGe CMOS结构,用Medici软件对该结构进行二维模拟,分析应变SiGe层、弛豫SiGe层中Ge组份,δ层掺杂浓度以及Si"帽"层厚度等结构参数对SiGe CMOS电学性能的影响.最后,给出该结构组成的反相器传输特性模拟结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子所	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子所	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子所	102	510	12.0	16.0
4	王伟	西安电子科技大学微电子所	83	505	12.0	18.0
5	黄大鹏	西安电子科技大学微电子所	3	6	2.0	2.0
6	姜涛	西安电子科技大学微电子所	4	15	2.0	3.0