Si-SiGe材料三维CMOS集成电路技术研究

• 作者: 宣荣喜 张鹤鸣 戴显英 胡辉勇 贾新章
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si-SiGe 三维 CMOS 集成电路
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 681-685
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 804字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.05.010

摘要

根据SiGe材料的物理特性,提出了一种新有源层材料的三维CMOS集成电路.该三维CMOS集成电路前序有源层仍采用Si材料,制作nMOS器件;后序有源层则采用SiGe材料,以制作pMOS器件.这样,电路的本征性能将由Si nMOS决定.使用MEDICI软件对Si-SiGe材料三维CMOS器件及Si-SiGe三维CMOS反相器的电学特性分别进行了模拟分析.模拟结果表明,与Si-Si三维CMOS结构相比,文中提出的Si-SiGe材料三维CMOS集成电路结构具有明显的速度优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	55	329	10.0	15.0
2	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	64	367	10.0	15.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
4	贾新章	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	63	572	14.0	20.0
5	宣荣喜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	22	172	8.0	12.0